IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號(hào)：FF300R17KE3
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-01-19
訪問(wèn) 量：4089

立即咨詢

聯(lián)系電話：010-64824799

詳細(xì)介紹

北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌1700V-IGBT模塊FF300R17KE3

300A 1700V 62mm 2單元

62mmC-series module with trench/field stop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

FF75R12RT4
FF75R12YT3
FF100R12RT4
FF100R12KS4
FF100R12YT3
FF150R12RT4
FF150R12KE3G
FF150R12KS4_B2
FF150R12KS4
FF150R12KT3G
FF150R12YT3
FF150R12ME3G
FF150R12MS4G
FF200R12KE3
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF200R12KT3_E
FF200R12KT3
FF200R12KT4
FF200R12MT4
FF225R12ME3
FF225R12ME4_B11
FF225R12ME4
FF225R12MS4
FF300R12KE3
FF300R12KE4_B2
FF300R12KE4
FF300R12KS4
FF300R12KT3_E
FF300R12KT3
FF300R12KT4
FF300R12ME3
FF300R12ME4_B11
FF300R12ME4
FF300R12MS4
FF400R12KE3_B2
FF400R12KE3
FF400R12KT3_E
FF400R12KT3
FF400R12KL4C
FF450R12KE4
FF450R12KT4
FF450R12ME3
FF450R12ME4_B11
FF450R12ME4
FF450R12IE4
FF600R12ME4_B11
FF600R12ME4
FF600R12KE3
FF600R12KF4
FF600R12KL4C
FF800R12KL4C
FF600R12IE4
FF600R12IP4
FF600R12IS4F
FF800R12KE3
FF800R12KF4
FF900R12IE4
FF900R12IP4
FF900R12IP4D
FF1200R12KE3
FF1400R12IP4